Transistors à effet de champ

Mémoire Sciences & technologies Physique

Date de publication :

23/03/2002

Langue :

Français

Format :

.doc

Nombre de pages :

17 pages

Niveau :

avancé

Consulté :

12 fois

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Sommaire :

Sommaire

LE TRANSISTOR FET À JONCTION
1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
2. CARACTÉRISTIQUES
3. REPRÉSENTATION. SCHÉMA ÉQUIVALENT
4. MONTAGE SOURCE COMMUNE
5. UTILISATION EN RÉSISTANCE COMMANDÉE
6. SOURCE DE COURANT
7. DOMAINE D'UTILISATION
LE TRANSISTOR MOS FET
1. LE MOSFET À CANAL INDUIT
2. LE MOSFET À CANAL INITIAL
3. UTILISATION DES MOSFETs

Résumé :

Nous avons vu au chapitre précédent que le transistor à jonction était une source de courant commandée par un courant. Cette caractéristique permet à ce type de composants d'amplifier des signaux alternatifs.
Du point de vue théorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais caractérisés par un mode d'attaque différent : par exemple, une source de courant commandée par une tension. Le principe reste le même (une source commandée), seule la nature du signal de commande change.
Cet objet théorique existe : la famille des transistors à effet de champ (Field Effect Transistor en anglais, FET) répond à la définition précédente : ce sont des sources de courant commandées en tension.
De ce point de vue, on conçoit aisément que l'étude des FET va être en tous points similaires à celle des transistors à jonction, et ce, malgré un fonctionnement microscopique complètement différent.
Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les différences de structure et de fonctionnement prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire toutes les similitudes existant avec le transistor à jonction : polarisation, conversion courant / tension, amplification en régime des petits signaux
Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait qu'on utilise les mêmes outils de modélisation pour les deux composants.